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    Flache Analyse der Beziehung zwischen der Mobiltelefonverwaltungstechnologie und dem High-frequency-
    Zu Kategorie geh?ren: Firmennachrichten
    Freigabedatum: 2016-09-20
    Klickrate: 5498
    Der Verleger: 佚名
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      Was hat ein High-frequency-Transformator mit der Mobiltelefonverwaltungstechnologie zu tun? Lassen Sie uns mit dem Handy-Maskenhersteller anfangen.Es ist bekannt, dass die Auswirkungen des elektroma...
      Was hat ein High-frequency-Transformator mit der Mobiltelefonverwaltungstechnologie zu tun? Lassen Sie uns mit dem Handy-Maskenhersteller anfangen.
    Es ist bekannt, dass die Auswirkungen des elektromagnetischen Feldes durch die Verwendung von Masken, magnetischer Isolierung und Transferkomponenten minimiert oder beseitigt werden k?nnen. Magnetfelder k?nnen leichter durch Magnetfelder transportiert werden als durch Luft oder andere Medien. Aus diesem Grund wird h?ufig ein magnetisches Material mit hohem Magnetfeld verwendet, um eine ringf?rmige oder versiegelte Maskenkomponente zu erstellen.
    1 Typ des Maskenmaterials
    Der Maskeneffekt basiert auf dem Grad, in dem die Intensit?t des magnetischen Feldes nach dem Maskieren der Ger?te oder Komponenten abnimmt. Der Falloff-oder Falloff-Betrag der St?rke des Magnetfelds hinter der Maske ist eine Funktion der Ableitung, St?rke und Gr??e der Maske für das Material. Das Material mit hoher oder niedriger Ableitung ist teurer als das Material mit niedriger Ableitung. Es kann jedoch günstiger sein, wenn die Maske für ein Material mit einfacher oder einfacher Führung denselben Effekt wie eine Maske für ein Material mit niedriger Ableitung mit mehreren Schichten hat.
    2 Auswahl des Maskenmaterials
    Wie bereits erw?hnt, wirken sich die Ableitung des Maskenmaterials, die Geometrie der Maske, die Dicke des Materials usw. auf den Effekt der magnetischen Maske aus. Das Prinzip des optionalen Maskenmaterials lautet also wie folgt:
    a. Für eine maximale Abnahme des ?u?eren magnetischen Feldes ist ein Material mit hohem W?rmeleitf?higkeit (μμοοοοοοοοοοοοοοοο) erforderlich.
    b. Der Effekt einer magnetischen Maske ist auch eine Funktion des Verh?ltnisses (t/ d) der Wandst?rke des Maskenmaterials zu dem überdurchmesser, dessen Diagonale bei einer rechteckigen Maske liegt.
    c. Wenn das externe St?rungsfeld zu hoch ist, wird der Masken-Falloff reduziert. Der Grund dafür ist, dass bei zu hohem externem Magnetfeld das magnetische Material der magnetischen S?ttigung ann?hernd entspricht.
    D. In der Regel ist es unrealistisch, eine Maske aus dickem Metall zu erstellen. weil es sehr teuer ist. Eine Maske kann durch eine dünne Metallhülle ersetzt werden, die einfach um die vom Magnetfeld betroffenen Komponenten gewickelt wird.
    3 Maskenentwurf
    a. Für den Maskenentwurf sind folgende Daten erforderlich:
    ① Die Menge der magnetischen Intensit?t, um die das Maskenmaterial abnimmt, muss gemessen oder gesch?tzt werden.
    ① Um einen guten Effekt der magnetischen Maske zu erzielen, müssen Sie die am besten geeignete Maskenform ausw?hlen. Zu den typischen oder relativ w?hlbaren geometrischen Formen geh?ren lange Zylinder, rechteckige Schalen. Es wird auch eine weitere Kugel, eine weitere Platte oder ein weiterer Kegel verwendet.
    b. Beim Entwerfen der Maske müssen Sie zun?chst den Wert für die Magnetdichte (Gau?) bestimmen und dabei die Dicke des Maskenmaterials ausw?hlen. Da der μs-Wert des Maskenmaterials eine nichtlineare Beziehung zum μs-Wert darstellt, muss die auf die Maske angewendete Fluiddichte das Material auf seine Spitzenmagnetisierung bringen, z. B. bei einer Steigungskonvergenz und bei einer Fluxdichte von ca. 3600 Gau?scher.
    Die Dicke des Maskenmaterials wird durch die folgende Formel bestimmt:
    T = 1, 25DH/ B (Zoll)
    wird die Falloff-Rate durch die Intensit?t des Magnetfelds vor der Maske dividiert. Der Wert für die μμοοοοοοοοn des hochgradig magnetischen Materials der Nickel betr?gt mindestens 80000.
    c. Beim Entwerfen der Maske sollten Sie Folgendes beachten:
    ① Für ein Magnetfeld mit hoher Intensit?t k?nnen Sie eine Maske aus mehreren Schichten erstellen, wobei das Material, das dem Magnetfeld am n?chsten ist, aus Legierungen besteht, die den h?heren Flu? verringern k?nnen (z. B. 48 Legierungen, magnesill). Im zweiten Stock sind hochmagnetisch leitf?hige Materialien, z. B. Hochlegierungen, zu verwenden. Der Mindestabstand zwischen der Quelle des Magnetfelds und dem n?chstgelegenen Maskenmaterial (ca. 1/ 2) sollte zugelassen werden. Bei der Konstruktion und Herstellung wird zwischen den einzelnen Schichten des mehrschichtigen Maskenmaterials eine Polyesterfolie verwendet.
    ① Wenn die Maske das Ziel der überdeckung nicht erreichen kann, um ein verstreutes magnetisches Feld mit geschlossenem Magnetfeld abzuschieben, wird h?ufig eine Platte dazwischen eingesetzt. Sie k?nnen ein verstreutes magnetisches Feld schlie?en, wenn die H?he und Breite der Platte wesentlich gr??er sind als die Gr??e der Emissionsquellen des Magnetfelds und der geforderten Maske.
    ① Wird das Material mit einer Metallplatte mit einer Dicke von weniger als 0, 006 Zoll maskiert, wird es in der Regel auf der Maschine verwendet, da diese St?rke die manuelle Form erleichtert. Wenn die Massenproduktion eine Maske mit einem mechanischen Verfahren erstellt, sollten Sie ein h?heres Material verwenden. Beachten Sie jedoch, dass alle leistungsst?rkeren mechanischen Vorg?nge, wie z. B. Biegen, Stanzen, Schwei?n?hte usw., zu Spannungen im Material führen, wodurch sich die Leistung des Materials verlangsamt, was durch einen temperaturabh?ngigen Rücklauf verbessert werden muss.
    ① Im Allgemeinen wird die überdeckung verst?rkt, wenn das Verh?ltnis zwischen L?nge und Durchmesser der überdeckung bei niedrigen Frequenzen (ca. 600 Hz) gr??er als 3 ist und die Dicke des Maskenmaterials von 0. 014 auf 0. 050 aufgedickt wird. Wenn das Verh?ltnis unter 3 liegt und Sie die Materialst?rke auf 0. 025 erh?hen, wirkt sich dies nur geringfügig auf die Lichtabnahme des magnetischen Feldes aus.
    Wie auch immer, das ist die Beziehung zwischen der Handymaskierungstechnologie und dem High-frequency-Transformator. in einem High-frequency-Transformator.
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